[发明专利]用于制造至少一个第一和第二微镜设备的方法在审
| 申请号： | 202180029195.0 | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN115427345A | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | H·施塔尔;R·施特劳布 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造至少一个第一(205)和第二微镜设备(206)的方法。在此，提供尤其是板状的、具有前侧(110)和背侧(120)的硅晶片(100)。然后，将氧化硅层(130)施加到所述硅晶片(100、101)的至少所述前侧(110)上。随后，如此去除所述氧化硅层(130)，使得产生所述氧化硅层(130)的至少一个第一分离区域(131)和至少一个第二分离区域(132)，其中，所述氧化硅层(130)的第一(131)和第二分离区域(132)在空间上、沿着分离平面(140)彼此分离地布置。然后，将硅层(150)施加到所述硅晶片(101)的前侧(110)和所述氧化硅层(130)上。随后，将蚀刻掩模(180)施加(70)到所述硅晶片(100)的背侧(120)上，其中，所述蚀刻掩模(180)沿着所述氧化硅层(130)的第一(131)和第二分离区域(132)的所述分离平面(140)具有第一开口(190)。随后，根据在所述硅晶片(100、101)的背侧(120)上的所述蚀刻掩模(180)并且根据所述硅晶片(100)的氧化硅层(130)、尤其是所述氧化硅层(130)的第一(131)和第二分离区域(132)，借助蚀刻方法来去除(80)所述硅层(150、350)和所述硅晶片(100、101)，使得产生至少一个第一(205)和第二微镜设备(206)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 至少 一个 第一 第二 设备 方法 | ||
【主权项】：
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