[实用新型]一种高集成高可靠IGBT功率模块有效

专利信息
申请号: 202122050826.7 申请日: 2021-08-30
公开(公告)号: CN215680684U 公开(公告)日: 2022-01-28
发明(设计)人: 孟繁新;王博;陈侃;周斌;江加丽;冉龙玄;张亮 申请(专利权)人: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L23/367;H01L23/373;H01L25/18
代理公司: 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 代理人: 杨成刚
地址: 550018 贵州省*** 国省代码: 贵州;52
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摘要: 一种高集成高可靠IGBT功率模块,属于半导体功率模块技术领域。结构包括:金属底板、封装外壳底座、多层布线陶瓷左半桥基片、多层布线陶瓷转接基片、多层布线陶瓷右半桥基片、模块引脚、键合丝、4个IGBT芯片、4个二极管芯片、封装外壳管帽,组成H桥电路结构;将2个IGBT芯片、2个二极管芯片按设计布局贴装焊接在左半桥基片上,将另外2个IGBT芯片、2个二极管芯片按设计布局贴装焊接在右半桥基片上;采用键合丝进行相应连接点之间的连线键合;封装外壳底座与封装外壳管帽进行充惰性气体全密封焊接。解决了现有IGBT模块耐高压性能差、组装密度低、散热措施复杂、可靠性低的问题。广泛应用于半导体功率电力器件的封装中。
搜索关键词: 一种 集成 可靠 igbt 功率 模块
【主权项】:
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