[实用新型]高阻抗变换比、低匹配损耗的功率放大器电路拓扑结构有效
| 申请号： | 202120415149.1 | 申请日： | 2021-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN214480504U | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 黎明;王子健;蔺兰峰;陶洪琪 | 申请（专利权）人： | 中电国基南方集团有限公司 |
| 主分类号： | H03H7/46 | 分类号： | H03H7/46;H03H7/38 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 严海晨 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种具有高阻抗变换比能力的高效率功率放大器电路拓扑结构，包括依次连接的匹配单元一、第一级场效应晶体管Q1、匹配单元二、第二级场效应晶体管Q2、匹配单元三、第三级场效应晶体管Q3、匹配单元四。本实用新型拓扑结构采用3级放大，级间利用高阻抗变换比电路拓扑实现超过1:4的高级间推动比，末级利用超低损耗电路拓扑结构实现极低的末级匹配损耗（理论最小匹配损耗小于0.3dB，实际末级匹配损耗小于0.35dB，相较于传统匹配结构损耗减小0.2dB以上），在满足功率输出的前提下，可实现超高效率性能。 | ||
| 搜索关键词： | 阻抗 变换 匹配 损耗 功率放大器 电路 拓扑 结构 | ||
【主权项】：
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