[实用新型]一种高压MOSFET新型晶体管器件终端结构有效
| 申请号： | 202120112779.1 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN214672623U | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 李青春 | 申请（专利权）人： | 深圳铨力半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市神州联合知识产权代理事务所(普通合伙) 44324 | 代理人： | 王志强 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及MOSFET管技术领域，公开了一种设计尺寸合理且稳定的高压MOSFET新型晶体管器件终端结构，包括N++衬底(101)，N‑外延层(102)设置在N++衬底(101)的内表面；在N‑外延层(102)的内表面的上端两侧设置有P‑结区(102b)及N+结区(102a)，在P‑结区(102b)及N+结区(102a)之间还设置有P‑‑结区(102e)，P‑‑结区(102e)与N+结区(102a)的截止间距设置为35um‑40um，P‑‑结区(102e)的尺寸设置为68um‑70um，P‑‑结区(102e)的结深设置为7um‑8um。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 mosfet 新型 晶体管 器件 终端 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳铨力半导体有限公司，未经深圳铨力半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202120112779.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种超声波塑料焊接机用多功能机架
- 下一篇：C型刀片雪茄剪
- 同类专利
- 专利分类
