[发明专利]表面自包覆的高镍正极材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202111609037.0 申请日: 2021-12-27
公开(公告)号: CN114335463B 公开(公告)日: 2023-05-12
发明(设计)人: 张洪周;孙一茗;张联齐;宋大卫;马月;时喜喜 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/485;H01M4/505;H01M4/525
代理公司: 太原倍智知识产权代理事务所(普通合伙) 14111 代理人: 张宏
地址: 300384 *** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种表面自包覆的高镍正极材料及其制备方法,所述高镍正极材料的表达式为LiNixCoyMn1‑x‑yO2@Li2MOk(M=Si、W中的一种),其中0.6≤x1,0y≤0.2,k=3或4,Li2MOk为所形成的自包覆层。本发明通过温度诱导的方法,使所述高镍正极材料中掺杂的Si或W元素向表面自偏析,形成对正极材料的自包覆层,从而提高材料循环过程中的结构稳定性。所述温度诱导方法是将掺杂有Si或W元素的高镍正极材料前驱体在750–1000°C下焙烧,然后将其自然冷却至50–100°C,再冷却至(‑20°C)–(‑15°C);按上述烧结及冷却流程循环2–4次获得产品。自包覆层具有厚度薄、均匀一致的特点,能对正极材料起到保护作用,使其免受电解液的腐蚀。
搜索关键词: 表面 正极 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津理工大学,未经天津理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111609037.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top