[发明专利]绝缘栅双极型晶体管在审
| 申请号： | 202111587888.X | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN116344604A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 侯信铭 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/205;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王锐 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种绝缘栅双极型晶体管，其包含一P型III‑V族氮化物层，一N型III‑V族氮化物层接触P型III‑V族氮化物层的一侧，一高电子迁移率晶体管设置在N型III‑V族氮化物层上，高电子迁移率晶体管包含一第一III‑V族氮化物层和一第二III‑V族氮化物层，第一III‑V族氮化物层设置在N型III‑V族氮化物层上，第二III‑V族氮化物层设置在第一III‑V族氮化物层上，一源极埋入于第二III‑V族氮化物层和第一III‑V族氮化物层中，其中源极包含一N型III‑V族氮化物主体和一金属结，一漏极接触P型III‑V族氮化物层的另一侧以及一栅极设置在第二III‑V族氮化物层上。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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