[发明专利]提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片及制备方法在审
| 申请号： | 202111555200.X | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114420757A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 蒋媛媛;刘旺平 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/02;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片及制备方法，属于半导体器件技术领域。在硅衬底上层叠Ni子层与Ni‑AlN合金子层，由于Ni子层的密度较大，提高在Ni子层上生长得到的外延材料的质量。在Ni子层上的Ni‑AlN合金子层与Ni子层的连接效果较好，并且氮化镓材料在Ni‑AlN合金子层上的生长为异质成核再在晶核的基础上进行生长，异质成核的成核功低，掺杂有Al的AlGaN缓冲层与Ni‑AlN合金子层有同质材料，可以快速生长，同时AlGaN缓冲层中也存在异质成核的情况，可以促进AlGaN缓冲层的快速生长并保证AlGaN缓冲层的质量，有效提高最终得到的高电子迁移率晶体管的制备效率。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 制备 效率 电子 迁移率 晶体管 外延 方法 | ||
【主权项】：
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