[发明专利]一种分裂栅MOS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111551968.X | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114068680A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 毛昊源 | 申请（专利权）人： | 无锡市捷瑞微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 郭慧 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市锡山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种分裂栅MOS器件及其制备方法，其中分裂栅MOS器件包括衬底，衬底上从下往上依次设有第一导电类型的第一外延层、第二外延层和第三外延层，第二外延层的掺杂浓度大于第一外延层的掺杂浓度，第二外延层的掺杂浓度大于第三外延层的掺杂浓度，第一外延层、第二外延层和第三外延层组成分裂栅MOS器件的漂移区，通过设置第二外延层的掺杂浓度分别大于第一外延层的掺杂浓度和第三外延层的掺杂浓度，第一方面高掺杂浓度的第二外延层可以加强漂移区的电场调制作用，增加分裂栅MOS器件的耐压；第二方面可以避免电场线在沟槽底部两侧堆积，防止分裂栅MOS器件耐压时提前在沟槽底部两侧击穿；第三方面降低了器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分裂 mos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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