[发明专利]一种改善划片崩边的方法在审
| 申请号： | 202111480941.6 | 申请日： | 2021-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN114203536A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 倪侠;邹有彪;张荣;王全;霍传猛;肖海林 | 申请（专利权）人： | 富芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/228 | 分类号： | H01L21/228;H01L21/304;H01L21/78;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡阔雷 |
| 地址： | 230000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善划片崩边的方法，包括以下步骤:步骤一：晶圆准备：选取MCZ硅单晶片，5寸晶向111，电阻率5.0‑6.5Ω/cm，厚度220μm±10％；步骤二：划片道掺杂：在炉温1120℃，氧气2L/min、氮气3L/min、携源氮气1.2L/min的工况下进行磷液态源淀积；在炉温1140℃，氧气2.5L/min、氮气4L/min的工况下进行磷源推进；使用四探针测试扩散方块电阻0.6Ω±10％，结深12μm±10％，本发明中是对划片道区域作高浓度的杂质掺杂工序，让划片道变得“疏松”，从而降低划片崩边以及由此所造成的晶格损伤的严重度，提高晶圆的划片质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 划片 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
