[发明专利]一种辐射加固的LDMOS器件结构及制备方法在审
| 申请号： | 202111469848.5 | 申请日： | 2021-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN114300539A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 谢儒彬 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨强;杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种辐射加固的LDMOS器件结构及制备方法，属于集成电路领域，包括P型硅衬底、N型埋层、P‑外延层、P‑体区、N‑漂移区、Psink重掺杂区域、N+重掺杂区域、P+重掺杂区域、STI区域、多晶栅区域。利用多晶栅区域截止漏极与源极之间的漏电通道，提升器件的抗总剂量辐射性能；结构中N型埋层位于P型硅衬底和P‑外延层之间，使得器件形成电位隔离，实现器件的高侧应用；在P‑体区位置增加Psink重掺杂区域，同时提高重掺杂的注入深度，减小非平衡载流子流过P‑体区的路径长度和电阻率，提升器件的抗单粒子辐射能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐射 加固 ldmos 器件 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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