[发明专利]一种基于衬底处理的六方氮化硼薄膜制备方法有效

申请号：	202111436122.1	申请日：	2021-11-29
公开（公告）号：	CN114182231B	公开（公告）日：	2023-01-24
发明（设计）人：	李静;刘兴宜;尹君	申请（专利权）人：	厦门大学
主分类号：	C23C16/34	分类号：	C23C16/34;C23C14/35;C23C16/02;C23C14/02;C23C14/06
代理公司：	厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204	代理人：	张松亭;游学明
地址：	361000 ***	国省代码：	福建;35
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摘要：	本发明公开了一种基于衬底处理的六方氮化硼薄膜制备方法，包括如下步骤：步骤一.重构金属衬底：(1)制备溶液一；金属衬底接入正极，浸入配制好的溶液一中，电压3～8V，时间10‑20s，随后取出，用去离子水清洗，吹干；(2)将去离子水和DMF以1:10‑15的体积比混合，并加入甲酸盐，甲酸盐为150‑340mg/mL水，充分搅拌后，滴入油胺，油胺与水的体积比为1‑2:1‑2；充分混合后得到溶液二，将步骤(1)中获得的金属衬底在溶液二中处理；步骤二.在重构后的金属衬底上生长六方氮化硼薄膜。本发明能够减少氮化硼缺陷。
搜索关键词：	一种基于衬底处理氮化薄膜制备方法
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摘要：本发明公开了一种带涂层的切削刀具，包括基体以及采用化学气相沉积方法沉积并具有0.5～20μm总厚度的多层耐磨涂层；所述多层耐磨涂层由内至外依次包括：至少一层钛化合物层和至少一层周期性涂层，所述周期性涂层由AlTiN层与AlTiSiN层交替沉积形成，所述AlTiN层与所述AlTiSiN层之间设有一层过渡层；所述过渡层由AlTiN或AlTiSiN构成，且其Si含量由所述AlTiN层至所述AlTiSiN层呈现梯度递增。本发明的目的在于解决带涂层切削刀具中AlTiN层与AlTiSiN层之间结合力弱的问题。

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摘要：本发明涉及二维材料领域，特别涉及一种具有层间垂直电输运通道的二维材料的制备方法，步骤如下，在气态状态下营造出第一本征主原子过饱和环境，同时使第二本征主原子处于非饱和状态；在气流通路中引入包含垂直pz价电子轨道的掺杂源，使掺杂源取代所述非饱和的第二本征主原子，与所述饱和的第一本征主原子的pz轨道发生强烈耦合杂化，激活所述饱和的第一本征主原子的pz轨道在垂直方向的延伸，形成层间垂直电输运通道。本发明工艺简单，能与当前的微纳加工技术形成良好的兼容性，并且产量较高，薄膜质量优异，垂直导电通道可在室温下稳定存在，二次移植使用性较强，可拓展二维材料、特别是二维半导体材料在新型垂直结构电子器件中的应用。

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申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C23C16/34
摘要：本发明属于机械加工刀具技术领域，具体涉及一种CVD涂层切削刀具及其制备方法，所述切削刀具包括：刀具基体，以及在所述刀具基体上通过CVD方法沉积形成的单层或多层涂层，单层或多层涂层中至少包括一层Ti1‑a‑b‑cAlaSibBcN涂层，其中0.6≤a≤0.9，0≤b≤0.1，0≤c≤0.05。本发明通过多种合金元素的掺杂，形成多元涂层体系，通过CVD方法制备得到切削刀具具有高硬度、自润滑、能耐高温氧化的良好性能，能够满足现代制造业的发展趋势。

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申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C16/34
摘要：本发明涉及半导体制备技术，具体公开了一种半导体制备系统，包括生产单元和中控单元，生产单元用于半导体的制备生产，中控单元用于对生产单元在进行制备生产半导体时，对其工作状况进行精确控制，其中，生产单元包括：外机体和半导体制备室，半导体制备室位于外机体内部，且其自上而下设有半导体制备腔和半导体成型腔，在半导体制备腔和半导体成型腔之间还设有流通管，半导体制备腔为一密闭腔室，在其内部蓄有镓液，半导体制备腔的侧部还安装有第一加热组件，在半导体制备腔的顶部贯穿设有延伸至外机体外部的第一输入管，第一输入管的底端通过伸缩件连接有分流件，提升整个系统的智能化和便捷化，并确保最终生成的半导体成品质量更好。

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申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C16/34
摘要：本发明涉及一种纤维表面Si3N4纳米网络复合界面相层及其制备方法。该在纤维表面原位生长Si3N4纳米网络结构复合界面相层的方法为：将表面沉积有Si3N4界面相层的纤维或纤维编织体进行热处理，得到Si3N4纳米网络结构复合界面相层；所述热处理包括：（1）先在1450～1750℃、真空或压力为10Pa～20Kpa的N2或/和Ar中，保持0.1小时～2小时；（2）再在1450～1750℃，压力为70Kpa～1000Kpa的N2或/和NH3气氛中，保持0.1小时～2小时。

涂覆的切削工具-202080038743.1
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申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C23C16/34
摘要：本发明涉及一种涂覆的切削工具。该切削工具是CVD涂覆的并且基材是硬质合金，其中硬质合金中的金属粘结剂包含Ni。CVD涂层包含TiN内层和后续的TiCN层和Al2O3层。

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发明人：里纳斯·冯菲安特;拉卢卡·莫尔然布伦宁;扬·恩奎斯特 -专利权人：山特维克科洛曼特公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C23C16/34
摘要：本发明涉及一种涂覆的切削工具。该切削工具是CVD涂覆的并且基材是硬质合金，其中硬质合金中的金属粘结剂包含Ni。所述CVD涂层包含TiN内层和后续的TiCN层。

加热器制备方法-202310643977.4
发明人：何军舫;王军勇 -专利权人：北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司;博宇（天津）半导体材料有限公司;博宇（朝阳）半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C23C16/34
摘要：本公开提供了一种加热器制备方法，包括：将模具置于沉积炉内的旋转支架上，所述模具的沉积面朝上，所述模具外套设有环形的挡气装置，以三氯化硼和氨气为反应气体，以氮气作为载气进行沉积，制得板状的热解氮化硼基板；在所述热解氮化硼基板上制作导电图案；在具有所述导电图案的所述热解氮化硼基板上形成第一绝缘层。本公开的方法能够提高加热器的性能。

氮化硅薄膜的制备方法-202310517905.5
发明人：周政;宋维聪 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C23C16/34
摘要：本发明提供一种氮化硅薄膜的制备方法，包括步骤：S1：提供PECVD腔体，对腔体内部进行清洁；S2：将腔体抽真空至1mTorr‑10mTorr，温度控制在300℃‑600℃；S3：将衬底放入腔体内进行预热，预热过程中通入预热气体，预热气体包括氨气和氮气，并稳定第一预设时长；S4：将腔体抽真空至1Torr‑10Torr，温度控制在300℃‑500℃，通入包括含硅气体、氨气和氮气的反应源气体并稳定第二预设时长，控制射频功率在500W‑1200W，以于衬底上生长氮化硅薄膜；S5：关闭含硅气体和氨气并继续保持氮气供应，控制射频功率在250W‑550W，以对氮化硅薄膜进行第三预设时长的等离子体氮化处理。本发明可以制备高均一性和空气稳定性良好的氮化硅薄膜。

半导体基板及其制造方法-202310091430.8
发明人：中村浩;塩井伸一 -专利权人：三安日本科技株式会社
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C23C16/34
摘要：一种半导体基板，包含：碳化硅基板；设置在所述碳化硅基板的上表面的第一氮化膜；设置在所述第一氮化膜的上表面的第二氮化膜；及设置在所述第二氮化膜的上表面的氧化硅膜。所述第一氮化膜比所述第二氮化膜更富含氮。借此，能提供通过降低碳化硅基板和碳化硅基板上的膜之间的降低界面态密度而具有高通道迁移率的半导体基板及其制造方法。

一种用于制备氮化物材料的装置-201711006984.4
发明人：江风益;刘军林;张建立;徐龙权;丁杰;全知觉 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C23C16/34
摘要：本发明公开了一种用于制备氮化物材料的装置，包括腔体、气体离化器、金属源产生装置、真空系统、样品台、腔体加热装置、真空计、温度计和膜厚仪和控制系统，其中：腔体由相互分离且能合为一体的上腔体与下腔体组成，金属源产生装置包括坩埚、线圈和金属保护装置，金属保护装置由坩埚底座和阻挡盖构成，真空系统包括干泵、分子泵和低温泵，样品台包括载片架、衬底冷却装置和样品台旋转装置，传动装置、气体离化器、真空泵系统、真空计等分别通过导线与控制系统连接。本发明制备氮化物的方式为阴离子阳离子逐层堆积模式，具有较好的材料质量和较快的氮化物制备速率。本发明具有能耗低、材料质量高、碳污染低、无组分偏析以及产能大等诸多优点。

气相沉积用模具及热解氮化硼板材的制备方法-202310645414.9
发明人：何军舫;王军勇 -专利权人：北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司;博宇（天津）半导体材料有限公司;博宇（朝阳）半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C16/34
摘要：本公开提供了一种气相沉积用模具及热解氮化硼板材的制备方法，气相沉积用模具包括：第一表面，其为沉积面；第二表面，其与所述第一表面相对设置，所述第二表面的面积小于所述第一表面的面积；侧面，其连接所述第一表面和所述第二表面，所述侧面与所述第一表面的夹角为锐角。本公开的气相沉积用模具制备的板材易于脱模。

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申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C16/34
摘要：本发明公开一种二维氮化镓膜的限域模板制备方法，涉及半导体材料制备技术领域，包括以下步骤：将液态金属镓转移至衬底表面后形成金属镓膜；金属镓经过膜氧化即在衬底表面得到氧化镓膜；采用化学气相沉积法制备二维氮化硼膜；将二维氮化硼膜转移至氧化镓膜顶面，使氧化镓膜被二维氮化硼膜包覆得到硅片‑氧化镓膜‑二维氮化硼膜复合物；将硅片‑氧化镓膜‑二维氮化硼膜复合物放入含有氮源的环境中进行氮化处理，冷却后得到氮化镓膜。本发明的有益效果在于：本发明基于氮化硼的稳定性、绝缘性和对激子发光性能的促进作用，以二维氮化硼与衬底为模板，在二维氮化硼与衬底间限域性生长氮化镓，钝化氮化镓的高能面，形成稳定二维氮化镓结构。

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申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C23C16/34
摘要：本发明公开了一种STM诱导单原子层氮化物生长的方法，包括：选择至少两种含有Ⅲ族金属的有机分子前体，通过STM的针尖向其注入电子束，使所述有机分子前体发生断键以获取有机分子前体内的所需基团；通过STM的针尖施加电压，引导所述有机分子前体内所需的基团进行聚合，生成单原子层氮化物。本发明的STM诱导单原子层氮化物生长的方法，其能够利用探针尖端精确操纵原子或者分子，诱导含有Ⅲ族金属的分子进行耦合重组，实现单层氮化物生长。

一种提升微通道散热器表面换热能力的方法-202310280782.8
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申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C23C16/34
摘要：本发明公开了一种提升微通道散热器表面换热能力的方法，包括以下步骤：称取设定质量的硼烷氨络合物，将其与铜基底和至少两个加热带放置于真空腔体内，对腔体进行抽真空；向真空腔体内通入氩气与氢气的混合气体，并对腔体进行加热；使真空腔体内保持第一温度，停止混合气体通入，开启一个加热带加热设定时间，然后开启另一加热带加热设定时间；待六方氮化硼层生长完成后，停止加热并自然降温；待真空腔体降温至第二温度时，对腔体抽真空；待真空腔体降温至第三温度时，停止对腔体抽真空并取出生长好的样品。本发明的有益效果为在微通道内部或表面生长氮化硼层，微通道可降低出水水温温差，有效防止界面热阻增大，提高微通道换热器的换热能力。

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申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C16/34
摘要：本发明公开了一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓外延层的制备方法，其中氮化镓的外延生长方法包括如下步骤：在衬底上生长多孔氧化铝掩膜层；多孔氧化铝掩膜层内的纳米孔贯穿多孔氧化铝掩膜层；在多孔氧化铝掩膜层内的纳米孔内生长氮化铝填充层；去除氧化铝掩膜层；在氮化铝填充层内以及氮化铝填充层上生长氮化镓缓冲层；在氮化镓缓冲层生长氮化镓外延层。本发明中的方法，将大量位错终止在氮化铝填充层与氮化镓缓冲层的界面处，提高生长于氮化镓缓冲层上的氮化镓外延层的质量。

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摘要：本文描述了组合物和使用所述组合物在具有表面特征的衬底的至少一个表面上形成含硅膜(例如，但不限于，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳掺杂氮化硅或碳掺杂氧化硅膜)的方法。在一个方面，所述组合物包含选自硅氧烷、基于三甲硅烷基胺的化合物、有机氨基乙硅烷化合物和环状三硅氮烷化合物的至少一种化合物。

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摘要：一种微波等离子体化学气相沉积系统制备六方氮化硼薄膜的方法，基于微波等离子体化学气相沉积系统，1)衬底选择及清洗；2)将衬底放置于反应室钼托中，置于微波等离子体化学气相沉积系统，抽真空至7.5×10‑4Pa以下；3)起辉及衬底预处理，对衬底进行5‑15min的等离子体清洗；4)沉积六方氮化硼薄膜：通入硼、氮气体反应源，其中硼元素反应源为被氢气或氩气稀释的乙硼烷，稀释比例为1％，流量为5‑15sccm，氮元素反应源为高纯氮气，流量为5‑15sccm，反应温度为750‑850℃，沉积时间为30‑90min。本发明工艺简单，成本低，可控性好，无需催化剂，可制备大尺寸六方氮化硼薄膜。

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摘要：在本发明主题的第一方面中，形成膜的方法包括将至少包括第一化学元素和第二化学元素的原料转化成雾化的液滴；通过使用载气将至少包括第一化学元素和第二化学元素的雾化的液滴携带在物体上；和使雾化的液滴反应而在物体上形成至少包括第一化学元素和第二化学元素的膜。第一化学元素选自周期表的14族元素和15族元素。第二化学元素选自周期表的d区元素、13族元素和14族元素并且与第一化学元素不同。

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申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C16/34
摘要：本发明属于薄膜制备技术领域，更具体地，涉及一种新材料薄膜及其制备方法。所述新材料薄膜的制备方法具体包括以下步骤：(1)制备PI薄膜衬底层；(2)对PI薄膜衬底层热处理；(3)通过低压气相沉积法将氮化硼薄膜沉积在PI薄膜衬底层上；(4)在氮化硼薄膜上浇注聚酰胺酸溶液；所述聚酰胺酸溶液的原料包括4,4‑二氨基二苯基甲烷、4,4‑二氨基联苄、3,4,9,10‑苝四甲酸二酐、纳米二氧化硅、珍珠岩。本发明制备了一种稳定性高且具有高耐热性以及高疏水性能的新材料薄膜。

用于沉积高密度和高拉伸应力的膜的系统和方法-202180070005.X
发明人：杨传曦;H·俞;Y·杨;C·Y·王;A·邱;韩新海;S·G·卡马斯;D·帕德希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/34
摘要：半导体处理的示例性方法可包括将含硅前驱物、含氮前驱物和双原子氢流入半导体处理腔室的处理区域。基板可以被容纳在半导体处理腔室的处理区域内。方法还可以包括形成含硅前驱物、含氮前驱物和双原子氢的等离子体。等离子体可以在15MHz以上的频率下形成。方法还可以包括将氮化硅材料沉积在基板上。

氮化硅膜的多层沉积和处理-202180064959.X
发明人： V·V·瓦茨;B·K·安;S·李;H·俞 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/34
摘要：示例处理方法可包括形成含硅和氮前驱物的第一沉积等离子体。方法可包括利用第一沉积等离子体在半导体基板上沉积氮化硅材料的第一部分。可形成含氦和氮前驱物的第一处理等离子体以利用第一处理等离子体来处理氮化硅材料的第一部分。第二沉积等离子体可沉积氮化硅材料的第二部分，且第二处理等离子体可处理氮化硅材料的第二部分。第一处理等离子体中的氦气对氮气的流率比可低于第二处理等离子体中的He/N2流率比。来自形成第一处理等离子体的等离子体功率源的第一功率水平可低于形成第二处理等离子体的第二功率水平。

氮化硅沉积炉管及其自动去膜工艺流程优化的方法-201810378193.2
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/34
摘要：本发明属于半导体存储器组件领域，具体为氮化硅沉积炉管及其自动去膜工艺流程优化的方法。一种氮化硅沉积炉管，包括外石英管和内石英管，所述内石英管设置于所述外石英管内部，所述内石英管内部还设置有晶舟，所述晶舟下方设有晶舟载台，所述晶舟载台的下方设有载盘遮护垫，所述载盘遮护垫边缘设置有环形遮护部，所述环形遮护部的外径与所述载盘遮护垫的直径为对应匹配所述晶舟底端设有底座套环，所述底座套环套于所述晶舟载台上。本发明通过改进现有氮化硅沉积炉管硬件设施，避免了晶舟载台金属物质与腐蚀气体产生化学反应产生黑色微尘颗粒，进而避免了因微尘颗粒导致晶圆产品缺陷的产生，提高了产品良率。

一种GaN HEMT上降低Fe拖尾的方法-202310121963.6
发明人：王波;房玉龙;尹甲运;张志荣;高楠;芦伟立;李佳;陈宏泰;牛晨亮 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C23C16/34
摘要：本申请适用于半导体衬底材料制备技术领域，提供了一种GaN HEMT上降低Fe拖尾的方法，该GaN HEMT上降低Fe拖尾的方法包括：将衬底置入MOCVD设备的反应室；在衬底上生长故意掺Fe的第一GaN层；在高温条件下，在第一GaN层上生长AlN层；在AlN层上生长非故意掺杂的第二GaN层。本申请在高温条件下生长AlN层，利用AlN层的晶格常数较小的特点，增加后续生长非故意掺杂的GaN层的压应力，阻止Fe通过分凝现象向非故意掺杂的GaN层中掺入，进而有效地改善Fe拖尾的问题。

III族氮化物基板和III族氮化物结晶的制造方法-201910617944.6
发明人：森勇介;吉村政志;今西正幸;北本启;泷野淳一;隅智亮;冈山芳央 -专利权人：国立大学法人大阪大学;松下控股株式会社
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C23C16/34
摘要：本发明提供一种低电阻且可控制晶格常数的III族氮化物基板。III族氮化物基板具有III族氮化物的基材部，所述III族氮化物的基材部具有表面、背面、和在表面与背面之间的内层，基材部的表面的碳浓度比内层的碳浓度高。III族氮化物结晶的制造方法中，从III族氮化物结晶的生长初期至生长中期，使III族元素氧化物气体与生长后期相比高浓度地生成，并高浓度地供给至育成室，并且将含碳元素气体高浓度地供给至育成室，在III族氮化物结晶的生长后期，使III族元素氧化物气体与生长初期至生长中期相比低浓度地生成，并低浓度地供给至育成室，并且将含碳元素气体低浓度地供给至育成室。

专利分类

C 化学；冶金

C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的

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[发明专利]一种基于衬底处理的六方氮化硼薄膜制备方法有效

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