[发明专利]存储器元件在审
| 申请号： | 202111243889.2 | 申请日： | 2021-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN116017981A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 杨智凯;韩宗廷 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王文思 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种存储器元件包括：基底、位于所述基底上的内连线结构、位于所述内连线结构上的导体层、位于所述导体层上停止层、位于所述停止层上的栅极叠层结构。所述栅极叠层结构包括相互交替的多个绝缘层以及多个栅极导体层。所述栅极叠层结构的最底层的绝缘层的厚度与所述停止层的厚度的比为1∶1～1∶2。所述存储器元件还包括延伸穿过所述栅极叠层结构与所述停止层并且与所述导体层连接的通道柱以及位于所述通道柱的外侧壁与所述多个栅极导体层之间的电荷储存结构。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 | ||
【主权项】：
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