[发明专利]适用于微米级芯片低温共晶键合的微凸点结构及制备方法在审
| 申请号： | 202111203096.8 | 申请日： | 2021-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN113937205A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 张永爱;陈孔杰;周雄图;郭太良;吴朝兴;严群 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 陈鼎桂;蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种适用于微米级芯片低温共晶键合的微凸点结构，包括从下至上依次设置的半导体衬底、图形化芯片、UBM金属层、第一金属层、第二金属层、金属凸点；所述半导体衬底、图形化芯片、UBM金属层、第一金属层外侧还设有介质层；所述第二金属层的上表面截面呈倒梯形微结构，设置于所述第一金属层表面；所述金属凸点填充于所述截面呈倒梯形微结构内，并与所述第二金属层形成所述第二合金层。本发明有效改善微凸点质量，提高微凸点器件最大耐受温度和机械强度。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 微米 芯片 低温 共晶键合 微凸点 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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