[发明专利]一种三维存储器件及其制造方法

摘要

本申请提供一种三维存储器件及其制造方法，包括第一半导体结构和第二半导体结构，第一半导体结构包括第一衬底，第一衬底分为第一部分和第二部分，在第一部分上形成存储单元，在第二部分上形成第一外围电路，第二半导体结构包括二衬底和位于第二衬底上的第二外围电路，并且从第二衬底形成金属接触和接触焊盘，以作为外围电路的电引出。也就是说，本申请实施例提供的三维存储器件中外围电路不仅仅只设置在外围电路晶圆，还设置在存储阵列晶圆，这样就能够降低外围电路晶圆中外围电路占用面积较大的问题，并且接触焊盘和金属接触在外围电路晶圆中形成，相较于在存储阵列晶圆中形成，能够降低在进行电信号的传输时的隔离电容，提高存储器件的性能。