[发明专利]高频SiC MOSFET四电平半桥逆变器的冗余驱动脉冲剔除调制方法在审
| 申请号： | 202111191682.5 | 申请日： | 2021-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN113938041A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 严庆增;张鑫诚;赵天润;陈皓明;邢成建;徐海亮;赵仁德 | 申请（专利权）人： | 中国石油大学（华东） |
| 主分类号： | H02M7/483 | 分类号： | H02M7/483;H02M1/088 |
| 代理公司： | 徐州创荣知识产权代理事务所(普通合伙) 32353 | 代理人： | 晏荣府 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于高频SiC MOSFET四电平半桥逆变器的冗余驱动脉冲剔除调制方法，高频SiC MOSFET四电平半桥逆变器主电路的输出电流通过二阶巴特沃斯低通滤波器，滤除高频电流谐波，得到滤波后的电流；滤波后的电流和调制波输入域划分模块，获得区间号。同时，上、中、下载波和调制波输入原始驱动脉冲产生模块，获得六路原始驱动信号，并输入到冗余脉冲剔除模块，获得六路剔除冗余脉冲的驱动信号。本发明的高频SiC MOSFET四电平半桥逆变器的冗余驱动脉冲剔除调制方法，不需要加入死区，可以完全避免死区效应，降低了输出电流谐波、减小了驱动电路的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 sic mosfet 电平 逆变器 冗余 驱动 脉冲 剔除 调制 方法 | ||
【主权项】：
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