[发明专利]一种波导集成的发光二极管在审
| 申请号： | 202111145683.6 | 申请日： | 2021-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN113871515A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 潘安练;陈舒拉;杨鑫 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/26 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 蒋太炜 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种波导集成的发光二极管，本发明首次以N型硫化镉纳米带和P型单层硒化钨构建PN结，通过在PN结两端施加一个正向偏压，成功实现了基于硫化镉和硒化钨PN结的发光二极管，并利用硫化镉与硒化钨的波导耦合结构，进一步实现了一种波导集成的发光二极管。本发明对现代集成芯片中硅上光源集成及光源与波导结构耦合难题的解决，具有重要的参考价值和工业应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波导 集成 发光二极管 | ||
【主权项】：
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