[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202111138971.9 | 申请日： | 2016-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN113871452A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 周洛龙;郑永均;朴正熙;李钟锡;千大焕 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社;起亚株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/417;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李静 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体器件。一种半导体器件，包含：n‑型层，布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；第一沟槽和第二沟槽，形成在n‑型层中并且彼此分离；n+型区，布置在第一沟槽的侧面与第二沟槽的侧面之间并且布置在n‑型层上；栅极绝缘层，布置在第一沟槽内；源极绝缘层，布置在第二沟槽内；栅极，布置在栅极绝缘层上；氧化层，布置在栅极上；源极，布置在氧化层、n+型区、及源极绝缘层上；以及漏极，布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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