[发明专利]记忆体装置、半导体装置和制造半导体装置的方法

摘要

提供了一种记忆体装置、半导体装置和制造半导体装置的方法，半导体装置其包括半导体基板和互连件结构。半导体基板包括晶体管，其中晶体管具有源极区域和漏极区域。互连件结构设置在半导体基板上方，其中互连件结构包括多个层间介电质层、第一导孔、和记忆体单元。多个层间介电质层在半导体基板上方。第一导孔嵌入在多个层间介电质层中的至少两个层间介电质层内，并且与晶体管的漏极区域电性连接。记忆体单元设置在多个层间介电质层中的至少两个层间介电质层上方，并且与第一导孔电性连接。