[发明专利]晶体管、功率放大器及电子设备在审
| 申请号： | 202110831326.9 | 申请日： | 2021-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN115692492A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 王东盛;田凯;姜腾;曹梦逸;谢荣华 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/47;H03F3/21;H01Q1/44;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强;李稷芳 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种晶体管、功率放大器及电子设备。该晶体管包括AlN势垒层及层叠于AlGaN层上的AlGaN层及SiN层，由于AlGaN层能够与AlN势垒层之间形成AlGaN/AlN复合势垒，SiN层与AlN势垒层之间形成SiN/AlN复合势垒，从而使得本申请的晶体管为增强型晶体管，能够避免晶体管不工作时漏电而产生的安全方面的问题。并且，由于SiN层为绝缘材料，SiN层部分覆盖AlN势垒层，可以起到表面钝化的作用，进一步提供该晶体管能够有更高的安全性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 功率放大器 电子设备 | ||
【主权项】：
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