[发明专利]具有薄阻挡层的半导体层结构在审
| 申请号： | 202110709374.0 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113851930A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | T.刘;李星;H.杰 | 申请（专利权）人： | 朗美通经营有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈茜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体层结构可以包括衬底、设置在衬底上方的阻挡层、以及设置在阻挡层上方的一个或多个外延层。阻挡层的厚度可以在50纳米(nm)和4000nm之间。阻挡层可以被配置为抑制来自衬底的缺陷传播到一个或多个外延层。一个或多个外延层可以包括量子阱层，该量子阱层包括使用高温处理形成的量子阱混合区域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阻挡 半导体 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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