[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法在审
申请号: | 202110405081.3 | 申请日: | 2021-04-15 |
公开(公告)号: | CN114141286A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 李熙烈;崔永焕 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C8/14 | 分类号: | G11C8/14;G11C8/08;G11C7/18 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文可以提供一种半导体存储器装置及其操作方法。该半导体存储器装置可以包括存储器单元阵列、外围电路和控制逻辑。存储器单元阵列包括多个存储器单元。外围电路对存储器单元执行读取操作。控制逻辑控制外围电路的读取操作。在读取操作期间,控制逻辑控制外围电路,使得向联接至存储器单元的多条字线当中的被选字线施加读取电压,向与被选字线相邻设置的未选字线施加第一通过电压,并且向未与被选字线相邻设置的未选字线施加第二通过电压。外围电路基于半导体存储器装置的温度来调整第一通过电压的幅度或第二通过电压的幅度。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储器 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110405081.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。