[发明专利]半导体装置、存储设备、及晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 202110249966.9 | 申请日： | 2021-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN114203808A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 细田达矢;成田容久 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/092;H01L27/11573;H01L27/11578;H01L21/8238;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供一种能够使特性稳定提高的半导体装置、存储设备、及晶体管的制造方法。实施方式的半导体装置具备衬底、衬底上的栅极绝缘膜、积层半导体层、及积层半导体层上或积层半导体层的上方的金属层。积层半导体层具有：第1层，形成在栅极绝缘层上，并且包含掺杂有磷的多晶半导体；第2层，形成在第1层上，并且包含掺杂有碳的多晶半导体；及第3层，形成在第2层上，并且包含掺杂有磷或未掺杂磷的多晶半导体。第3层的磷含量少于第1层的磷含量，或第3层不含磷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 存储 设备 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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