[发明专利]X射线平板探测器面板结构及其制备方法、平板探测器有效
申请号: | 202110183090.2 | 申请日: | 2021-02-08 |
公开(公告)号: | CN113053935B | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
发明(设计)人: | 李桂锋;金利波 | 申请(专利权)人: | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种X射线平板探测器面板结构及其制备方法,及平板探测器。制备方法包括提供基板,依次形成栅电极、栅绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层、源漏电极材料层及第一绝缘层,对第一绝缘层进行图形化刻蚀以形成第一开孔以暴露出源漏电极材料层;于第一开孔内形成光电二极管后对第一绝缘层及未被光电二极管覆盖的源漏电极材料层进行图形化刻蚀以形成源极和漏极,之后形成第二绝缘层和公共电极,公共电极与光电二极管电连接且延伸到氧化物薄膜晶体管的上方。本发明经优化的流程设计,利用源漏电极材料层增强光电二极管与氧化物薄膜晶体管有源层的物理隔离,减少光电二极管和后续绝缘层等制程对氧化物薄膜晶体管电性的影响,有助于提高器件性能。 | ||
搜索关键词: | 射线 平板 探测器 面板 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的