[发明专利]一种深紫外LED及其制作方法有效
| 申请号： | 202110172071.X | 申请日： | 2021-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN112951961B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 霍丽艳;滕龙;吴洪浩;周瑜;刘兆 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 姚璐华 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种深紫外LED及其制作方法，所述深紫外LED包括：衬底；依次设置在所述衬底一侧的N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和P型半导体层；其中，所述电子阻挡层为稀磁材料的电子阻挡层。该稀磁材料的电子阻挡层能够在阻挡电子的同时，对空穴的注入也起到正向的作用，提高电子和空穴的空间波函数交叠，进而提高深紫外LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 led 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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