[发明专利]平面化中的芯片内不均匀性（WID-NU）在审
| 申请号： | 202080066800.7 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN114450366A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 甘露;J·A·施吕特;D·C·塔姆波利 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C09K3/14;H01L21/306;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于屏障层应用的化学机械平面化(CMP)抛光组合物，特别是用于改善芯片内不均匀性(WID‑NU)。所述CMP抛光组合物含有浓度等于和/或大于(≥)2.0重量％的磨料；平面化剂，其选自环氧乙烷、环氧丙烷、环氧丁烷、其聚合物、其衍生物及其组合，其中所述聚合物具有介于10道尔顿至5百万道尔顿，优选50道尔顿至1百万道尔顿之间的分子量；腐蚀抑制剂；水溶性溶剂；以及任选地，速率增强剂、pH调节剂、氧化剂和螯合剂。 | ||
| 搜索关键词： | 平面化 中的 芯片 不均匀 wid nu | ||
【主权项】：
暂无信息
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