[发明专利]摄像装置在审
| 申请号: | 202080033088.0 | 申请日: | 2020-05-27 |
| 公开(公告)号: | CN113785399A | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
| 发明(设计)人: | 畑野启介 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 姚鹏;曹正建 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供了一种能够抑制图像质量降低的摄像装置。所述摄像装置设置有:第一半导体基板,其具有光输入面并且设置有光电转换部;第二半导体基板,其设置在所述第一半导体基板的与所述光输入面相反的一侧;绝缘膜,其设置在所述第一半导体基板的设置有所述光输入面的一侧;切口部和孔部的至少一者,其在所述绝缘膜的厚度方向上延伸;注入膜,其注入在所述切口部和所述孔部的至少一者的在深度方向上的至少一部分中;保护部件,其与所述第一半导体基板相对,所述绝缘膜位于所述保护部件与所述第一半导体基板之间;以及接合部件,其包括与所述注入膜的材料不同的材料并且设置在所述保护部件与所述绝缘膜之间。 | ||
| 搜索关键词: | 摄像 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





