[实用新型]MOSFET晶体管有效
| 申请号： | 202022128933.2 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN213459746U | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 倪炜江 | 申请（专利权）人： | 芜湖启源微电子科技合伙企业（有限合伙） |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京知帆远景知识产权代理有限公司 11890 | 代理人： | 崔建锋 |
| 地址： | 241003 安徽省芜湖市弋江区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种MOSFET晶体管，MOSFET晶体管包括：衬底；缓冲层；漂移区；掺杂基区；帽层；多个沟槽；多个沟槽自帽层一侧向衬底一侧延伸，并延伸至漂移区内；多个重掺杂区，重掺杂区位于漂移区内且位于沟槽的底部，第一金属层，第一金属层覆盖部分台面、沟槽的部分底部以及和部分底部相连的侧壁；栅介质层以及栅极；第一电极和第二电极；MOSFET晶体管中具有第一原胞区和第二原胞区。由此，通过设置沟槽、第一原胞区和第二原胞区，实现了重掺杂区对沟槽栅的电场屏蔽，实现了掺杂基区与第二电极的电连接，同时也反并联了肖特基二极管，在不影响原胞尺寸的基础上，可以降低MOSFET晶体管的制备难度，可以降低MOSFET晶体管的生产成本，还可以降低MOSFET晶体管导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 晶体管 | ||
【主权项】：
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