[实用新型]一种超低功耗半导体功率器件有效
| 申请号： | 202020917168.X | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN211980577U | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 张华;毛维松 | 申请（专利权）人： | 上海高芯机电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京中索知识产权代理有限公司 11640 | 代理人： | 高杨 |
| 地址： | 200120 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种超低功耗半导体功率器件，其制程反应腔的输入端连接有防过载控制线路，防过载控制线路包括热交换机和与热交换机的输出端口通过电线连接的配电箱，配电箱的输出端口并联有多个配电盒，配电盒的输出端串联有与连通制程反应腔的循环泵；循环泵的外壁上固定有温度计，温度计连接有第一总控器，第一总控器的输出端连接第一开关阀；第一开关阀的输出端连接有第一断路开关，第一断路开关设置在热交换机和配电箱的连接线路上；配电盒通到循环泵的连接线路上设置有电流计，电流计的输出端连接有第二总控器，第二总控器的输出端连接有第二开关阀，第二开关阀的输出端连接有设置在配电盒和循环泵的连接线路上的第二断路开关。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
