[实用新型]一种叠层结构级联型GaN基功率器件有效
| 申请号： | 202020366332.2 | 申请日： | 2020-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN213752698U | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 王洪;胡文龙;高升;武智斌 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L21/98;H01L21/50;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/495;H01L23/498 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;江裕强 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种叠层级联型GaN基功率器件。该器件结构为TO‑220框架上面粘接设有通孔和凹槽的DBC双面陶瓷基板，DBC陶瓷基板凹槽中粘接GaN基芯片，垂直结构的硅基MOSFET叠放于GaN基芯片源极上形成Cascode级联结构。本实用新型通过对GaN基芯片和硅基MOSFET芯片合理布局实现Cascode级联结构，减小了芯片占用框架的面积，减小封装体体积且提高了封装形式的选择性；通过设有通孔和凹槽结构的高导热DBC双面陶瓷基板增大了芯片与高导热材料的接触面积，提高了芯片散热性能、优化了工艺步骤，使器件的可靠性和实用性提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 级联 gan 功率 器件 | ||
【主权项】：
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