[发明专利]一种改善平面肖特基产品保护环区域ESD失效的方法有效
| 申请号： | 202011517937.8 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN112635304B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 陈维伟;赵晓非;杨亚峰;杨正铭;陆益;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L21/265;H01L21/311;H01L21/329;H01L21/266 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 郭翔 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种改善平面肖特基产品保护环区域ESD失效的方法。涉及一种半导体扩散工艺。提供了一种分散环区电场强度，从而提高保护环区域抗静电能力的一种改善平面肖特基产品保护环区域ESD失效的方法。通过增加保护环结深，增大保护环边缘耗尽层的曲率半径，实现分散环区电场强度，从而提高保护环区域抗静电能力，通过优化高温扩散的氧化时间和温度，从而达到增加保护环结深的目的。本发明具有提高保护环区域抗静电能力等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 平面 肖特基 产品 保护环 区域 esd 失效 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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