[发明专利]一种集成电路用铜铝硅合金靶材的制备工艺有效

专利信息
申请号: 202011426987.5 申请日: 2020-12-09
公开(公告)号: CN112680626B 公开(公告)日: 2022-12-02
发明(设计)人: 臧卫祥;常艳超;徐东起;程小明;高奇峰 申请(专利权)人: 爱发科电子材料(苏州)有限公司
主分类号: C22C9/10 分类号: C22C9/10;C22C1/02;B22D27/04;C22F1/08;C23C14/34
代理公司: 北京精金石知识产权代理有限公司 11470 代理人: 杨佩佩
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种集成电路用铜铝硅合金靶材的制备工艺,包括如下步骤:步骤1、熔炼;步骤2、浇铸;步骤3、去黑皮;步骤4、热间锻打;步骤5、热间压延;步骤6、热处理;步骤7、切割及机加工。本发明采用热间锻打和热间压延的结合工艺,先锻打再压延,使得生产出的铜铝硅合金靶材平均最小粒径可达到25μm以下,硬度HV115以上。实现粒径细微化,在使用过程中,减少了异常放电现象,此外,粒径细微化的靶材不易于发生反溅射堆积(mura),保证了靶材的正常使用和溅射效率。
搜索关键词: 一种 集成电路 用铜铝硅 合金 制备 工艺
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