[发明专利]半导体结构及半导体结构的制造方法在审

专利信息
申请号: 202011223554.X 申请日: 2020-11-05
公开(公告)号: CN114446957A 公开(公告)日: 2022-05-06
发明(设计)人: 吴锋;朴相烈 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L21/8242
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 孟秀娟;臧建明
地址: 230011 安徽省合肥*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法,涉及显示技术领域,该半导体结构包括基底,所述基底包括阵列区以及围绕所述阵列区的周边电路区,所述阵列区内设有阵列排布的多个电容器,本发明通过使位于所述阵列区的边缘的数个所述电容器中,任意连续相邻的三个所述电容器的中心连线构成的一个虚拟角大于90°,避免位于阵列区的边缘上的数个电容器中任意相邻的三个电容器的中心连线形成直角,即,避免位于阵列区的边缘上的数个电容器形成矩形图案,这样可以降低位于阵列区的边缘上的数个电容器所受的应力,进而降低了位于阵列区的边缘上的数个电容器的损坏几率,提高了半导体结构的存储性能。
搜索关键词: 半导体 结构 制造 方法
【主权项】:
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