[发明专利]一种高Q值薄膜体声波谐振器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011152721.6 申请日: 2020-10-26
公开(公告)号: CN112260659B 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 孙成亮;曲远航;谷曦宇;高超;邹杨;温志伟;杨超翔;龙开祥 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: H03H9/17 分类号: H03H9/17;H03H3/02;H03H9/02
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 彭艳君
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及体声波谐振器技术,具体涉及一种高Q值薄膜体声波谐振器及其制备方法,该薄膜体声波谐振器包括衬底,还包括位于衬底上部的多个支撑柱,位于多个支撑柱上部的压电叠层区域,该压电叠层区域通过多个支撑柱支撑于空气中,压电叠层区域包括上电极、压电层和底电极。该谐振器通过支撑柱使谐振器的工作区域处于开放的空气域中,减少了谐振区域与衬底的接触面积,使谐振器的边界变形更加自由,通过支撑柱可以使顶电极和底电极边界处于开放的空气域中更好地反射声波,有效减少声波的泄露,提高谐振器的Q值。
搜索关键词: 一种 薄膜 声波 谐振器 及其 制备 方法
【主权项】:
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