[发明专利]紫外LED外延片及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202011129880.4 | 申请日： | 2020-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN112259654B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 贺龙飞;赵维;张康;何晨光;吴华龙;廖乾光;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00;A61L2/10;A61L2/26;A61L9/20 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 李彬彬;陈莉娥 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种紫外LED外延片及其制备方法与应用，其中，紫外LED外延片包括依次外延生长的n型半导体层、有源层、电子阻挡层和p型半导体层；电子阻挡层由第一子层和第二子层交替生长而成的超晶格结构组成，第一子层为氮化硼铝层，第二子层为氮化铝镓层。本发明提供的紫外LED外延片采用交替生长的氮化硼铝层和氮化铝镓层构成电子阻挡层，使得电子阻挡层导带的能级位置更高，提高电子的有效势垒高度，有效阻挡电子跃迁到p型半导体层；同时，降低电子阻挡层与有源区的空穴势垒高度，显著改善空穴注入有源层的注入效率；因此，能提高有源区的辐射复合速率，从而提高紫外LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 led 外延 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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