[发明专利]太阳能电池及镓、氢掺杂单晶硅的制备方法

摘要

本申请提供太阳能电池及镓、氢掺杂单晶硅的制备方法，太阳能电池包括半导体衬底、位于半导体衬底正面的掺杂层、位于掺杂层上表面的正面钝化层和/或减反层、位于正面钝化层和/或减反层上表面的正面电极、位于半导体衬底背面的背面钝化层以及位于背面钝化层背面的背面电极，其中，半导体衬底包括镓、氢掺杂单晶硅，镓、氢掺杂单晶硅中的氢掺杂浓度为1×105～1×1016atoms/cm3，镓掺杂浓度为1×1015～5×1017atoms/cm3，镓、氢掺杂单晶硅的电阻率为0.1～10Ω·cm。本申请的太阳能电池，可以有效提升单晶硅中的少子寿命，有利于提升电池钝化效果，提高太阳能电池的转换效率。