[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010939014.5 | 申请日： | 2020-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN113224152A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 下条亮平;坂野竜则;井口智明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李今子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供半导体装置，其能够降低二极管动作中的恢复损耗。半导体装置具备第1电极与第2电极之间的半导体部和第1及第2控制电极。第1控制电极配置于第1电极与半导体部之间的第1沟槽内，第2控制电极配置于第2电极与半导体部之间的第2沟槽内。半导体部包括第1导电类型的第1层、第2导电类型的第2层、第1导电类型的第3层、第2导电类型的第4层、第1导电类型的第5层及第1导电类型的第6层。第2层设置于第1层与第1电极之间，第3层设置于第2层与第1电极之间。第4层设置于第1层与第2电极之间，第5层设置于第4层与第2电极之间，第6层设置于第1层与第2电极之间。第2电极经由包括第6层的第1导电类型区域与第1层连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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