[发明专利]基于电荷迁移带边缘反常热猝灭的荧光强度比测温方法有效
| 申请号: | 202010757838.0 | 申请日: | 2020-07-31 |
| 公开(公告)号: | CN111947804B | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
| 发明(设计)人: | 周贤菊;李思雨;李丽;相国涛;江莎;曹中民;谢广新 | 申请(专利权)人: | 重庆邮电大学 |
| 主分类号: | G01K11/20 | 分类号: | G01K11/20 |
| 代理公司: | 重庆市恒信知识产权代理有限公司 50102 | 代理人: | 陈栋梁 |
| 地址: | 400065 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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| 摘要: |
本发明请求保护一种基于电荷迁移带边缘反常热猝灭的荧光强度比测温方法,本发明涉及一种基于电荷迁移带反常热猝灭的荧光强度比测温方法。本发明的目的是为了解决传统的基于稀土离子热耦合能级荧光强度比测温灵敏度较低的问题,方法:(1)以Eu |
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| 搜索关键词: | 基于 电荷 迁移 边缘 反常 热猝灭 荧光 强度 测温 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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