[发明专利]用于层状III族氮化物结构的电介质钝化在审
| 申请号： | 201980099057.2 | 申请日： | 2019-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN114270501A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | O·拉博廷;高翔;H·马钱德 | 申请（专利权）人： | IQE公开有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 宋岩 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种钝化的半导体器件结构包括III族氮化物结构(102)和钝化层(104)。III族氮化物结构包括高电子迁移率晶体管(HEMT)。钝化层包括电介质，电介质形成在该结构上方以提供钝化并与该结构形成界面。该界面提供该结构与电介质之间的具有至少两个原子层厚度的过渡(110)。该界面的特征还在于：具有比对应于至多一个原子层厚度的界面态的参考密度小的界面态的密度。构成粗糙界面的过渡允许界面态的相对低的密度，并因此改善器件结构的高频性能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 层状 iii 氮化物 结构 电介质 钝化 | ||
【主权项】：
暂无信息
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