[发明专利]用于金属互连层的中间层在审
| 申请号： | 201980022122.1 | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN111902912A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 游正义;萨曼莎·西亚姆华·坦;鲍里斯·沃洛斯基;阿图尔·科利奇;潘阳 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/28;H01L21/02;H01L21/324;H01L21/67;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种在衬底上沉积金属互连层的方法包括：将衬底布置在处理室中的衬底支撑件上；以及在所述衬底上沉积被配置成用作黏附层、扩散阻挡层和籽晶层中的至少一者的中间层。沉积所述中间层包括供应金属‑有机前体，所述金属‑有机前体包括具有金属‑硅化物(M‑Si)键的第一材料。所述方法还包括：在所述中间层上沉积所述金属互连层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属 互连 中间层 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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