[发明专利]高速高线性的硅-铌酸锂外腔调频激光器在审
| 申请号： | 201911179230.8 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN110911950A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 周林杰;赵瑞玲;郭宇耀;陆梁军;陈建平 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01S3/063 | 分类号： | H01S3/063;H01S3/16 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种高速高线性的硅‑铌酸锂外腔调频激光器，该外腔激光器的反射型半导体光放大器通过硅基光斑尺寸转换器连接到移相器，之后移相器的输出端与第一微环滤波器的输入端相连，第一微环滤波器的输出端连接第二微环滤波器的输入端，第二微环滤波器的输出端与反射镜的输入端相连。之后在硅波导上方键合铌酸锂薄膜。本发明通过两个微环滤波器的游标效应构成滤波结构，可得到宽调谐范围窄线宽激光。利用铌酸锂薄膜损耗低、线性电光效应强、调制速度快的优势，可进一步压缩激光器线宽，提高输出激光功率，并实现高速线性调频。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 线性 铌酸锂外 腔调 激光器 | ||
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- 具有镜面保护的半导体激光器装置包括横向上的具有双波导的结构以及纵向上的主分段和端部分段，所述双波导由有源波导和分离的或相邻的陷波波导组成，所述端部分段的上包层的厚度朝向反射镜逐渐减小。在主分段中，场分布是非对称的，主要位于下包层。在端部分段中，场分布逐渐进一步向下薄层传输。沿着端部分段，基模限制因子Γ逐渐且显著减小。限制因子Γ的减小防止有源区在出口反射镜上的投影的退化，激光元件对退换最敏感。
- 具有锥形芯层厚度的端面泵浦PWG-201580043592.8
- D·M·费尔格斯;R·D·斯特尔茨 - 雷神公司
- 2015-08-13 - 2020-09-04 - H01S3/063
- 本发明公开了一种平面型波导器(PWG)，所述平面型波导器具有用于连接到光泵的第一端和与第一端相对的第二端，并且包括：第一覆层；第二覆层；和均匀掺杂的芯层，所述芯层在第一覆层和第二覆层之间，其中芯层为在第一端处具有较小厚度而在第二端处具有较大厚度的锥形，并且其中芯层厚度与覆层厚度的比率在第一端处较小而在第二端处较大。
- 一种“面发射”波导激光器谐振腔的制备方法-201910113237.3
- 姚一村;张丽强;德特列夫·基普;克里斯汀·埃尔文·豪恩霍斯特;塞吉·索恩索夫;多米内克·布鲁斯克;伊娃·法茨格拉夫 - 聊城大学
- 2019-02-14 - 2020-09-01 - H01S3/063
- 本发明提供一种新型“面发射”型波导激光谐振腔的设计和制备方案，属于集成光子学器件制备技术领域。在晶体片的侧面制备三条波导，其中两条较短的波导垂直于晶体大面，另一条较长的波导作为主谐振腔，并与前两条波导垂直。三条波导相连构成类“之”字形。利用精密金刚石刀切割的方法，在波导连接处分别切割形成两个沟槽作为全反射镜。其特点及优势主要包括：1.实现了类似半导体VCSEL激光器的面发射特性，有利于波导激光的后续封装；2.使波导激光器结构更为紧凑，降低了光路校对的难度，提高了系统稳定性；3.适用于各类全晶体波导激光器，易于推广。
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