[发明专利]单粒子效应电路仿真中考虑有源区形状尺寸影响的建模方法有效
| 申请号： | 201911058784.2 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN110909516B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 丁李利;陈伟;王坦;张凤祁;罗尹虹;郭晓强;王勋;潘霄宇;王定洪;赵雯 | 申请（专利权）人： | 西北核技术研究院 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 唐沛 |
| 地址： | 710024 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及了一种单粒子效应电路仿真中考虑有源区形状尺寸的建模方法，解决了现有单粒子效应电路仿真方法中对于电路设计加固及版图设计加固不完全支持验证的技术问题，该方法的主要实现步骤是：1)构建考虑有源区形状尺寸影响的单粒子效应基础模型；2)标定单粒子效应基础模型中需要提取的参数随版图信息变化的依赖关系；3)提取待分析电路版图形状信息及电路网表信息；4)选定待分析电路版图中的重离子入射位置，重建待分析电路版图的单粒子效应模型；5)更新电路网表，仿真计算电路的单粒子效应。 | ||
| 搜索关键词： | 粒子 效应 电路 仿真 考虑 有源 形状 尺寸 影响 建模 方法 | ||
【主权项】：
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