[发明专利]半导体结构及其形成方法在审

专利信息
申请号: 201910972935.9 申请日: 2019-10-14
公开(公告)号: CN110718476A 公开(公告)日: 2020-01-21
发明(设计)人: 余兴;蒋维楠 申请(专利权)人: 芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/522
代理公司: 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 唐嘉
地址: 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种半导体结构及其形成方法,半导体结构包括:提供第一晶圆,所述第一晶圆内具有若干晶体管及位于所述晶体管顶部的第一导电结构,所述第一导电结构与所述晶体管电连接;提供第二晶圆,所述第二晶圆内具有第二导电结构;键合所述第一晶圆与所述第二晶圆,所述第一导电结构与所述第二导电结构电连接。本发明有助于缩短形成半导体结构的工艺时间。
搜索关键词: 晶圆 导电结构 半导体结构 晶体管 电连接 键合
【主权项】:
1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:/n提供第一晶圆,所述第一晶圆内具有若干晶体管及位于所述晶体管顶部的第一导电结构,所述第一导电结构与所述晶体管电连接;/n提供第二晶圆,所述第二晶圆内具有第二导电结构;/n键合所述第一晶圆与所述第二晶圆,所述第一导电结构与所述第二导电结构电连接。/n
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