[发明专利]高效、稳定的超薄柔性太赫兹屏蔽材料的制备方法有效
申请号: | 201910951799.5 | 申请日: | 2019-10-09 |
公开(公告)号: | CN110545654B | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 黄毅;侯胜月;马文乐;李广浩 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00 |
代理公司: | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人: | 赵尊生 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及一种高效、稳定的超薄柔性太赫兹屏蔽材料的制备方法。制备步骤:首先在金属基底上通过化学气相沉积法在其表面生长石墨烯;然后在生长有石墨烯的金属基底上涂覆一层转移媒介;接着将金属基底用刻蚀液去除,剩下转移媒介支撑的石墨烯;之后在聚合物基底上沉积一层金属薄膜;然后将转移媒介支撑的石墨烯转移到聚合物基底上沉积的金属薄膜上,并将支撑石墨烯的转移媒介去除;接着交替重复以上金属薄膜的沉积和石墨烯的转移步骤,以得到层层组装的金属/石墨烯复合材料。本发明的金属/石墨烯层层组装太赫兹屏蔽材料厚度小、屏蔽效能高、柔性良好、稳定性高,在微电子器件和柔性电子设备的太赫兹屏蔽领域内具有广阔前景。 | ||
搜索关键词: | 高效 稳定 超薄 柔性 赫兹 屏蔽 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高效、稳定的超薄柔性太赫兹屏蔽材料的制备方法,其特征在于包括如下的步骤:/n1)在金属基底上通过化学气相沉积法在其表面生长石墨烯;/n2)在生长有石墨烯的金属基底表面涂覆一层转移媒介薄膜;/n3)将步骤2)所得的材料中的金属基底用刻蚀液去除,得到转移媒介支撑的石墨烯;/n4)在聚合物基底上沉积一层金属薄膜;/n5)将步骤3)所得的材料转移到步骤4)所得的材料表面上,并将支撑石墨烯的转移媒介去除;/n6)对步骤5)所得的材料交替重复以上金属薄膜的沉积和石墨烯的转移步骤,得到层层组装的金属/石墨烯复合材料。/n
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