[发明专利]一种碳纳米管复合镍硒纳米片电催化剂的制备方法有效

专利信息
申请号: 201910895471.6 申请日: 2019-09-21
公开(公告)号: CN110548525B 公开(公告)日: 2022-02-25
发明(设计)人: 申士杰;张欢欢;钟文武;林志萍;王宗鹏 申请(专利权)人: 台州学院
主分类号: B01J27/057 分类号: B01J27/057;B01J35/02;C25B1/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 318000 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开一种碳纳米管复合镍硒纳米片电催化剂的制备方法,包括以下步骤:将Se粉、硼氢化钠、碳纳米管和硝酸镍溶于乙腈和乙二醇的混合溶液中,在180℃微波辅助反应24小时。
搜索关键词: 一种 纳米 复合 催化剂 制备 方法
【主权项】:
1.一种碳纳米管复合镍硒纳米片电催化剂的制备方法,包括如下步骤:将0.4mmolSe粉和1mmol硼氢化钠添加至60mL乙腈和乙二醇的混合溶液中,其中乙腈和乙二醇各30mL,磁力搅拌1小时;再将50mg碳纳米管和0.35mmol硝酸镍添加至上述溶液中,磁力搅拌1小时;再将上述溶液密封于100mL的反应釜中,将反应釜放置在微波辅助加热马弗炉中保持24小时,其中马弗炉温度设置为180℃,微波频率设置为1500兆赫兹,微波功率设置为140瓦;冷却到室温;将溶液中的沉淀物用酒精清洗3次后,放置于50℃的烘箱中保温24小时。/n
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  • 本发明公开了一种ZnSe/ZnCo2S4复合材料及应用,涉及光催化制氢技术领域,一种纳米片状ZnSe掺杂ZnCo2S4异质结光催化产氢材料,在ZnSe的价带与导带之间产生中间能级,降低了ZnSe的禁带宽度,提高了对可见光的吸收,同时ZnCo2S4也能作为光生电子‑空穴的再结合中心,捕获光生电子,抑制光生电子‑空穴复合,纳米片状ZnSe掺杂ZnCo2S4,由于特殊的形貌,具有非常高的比表面积,提高了对光能的利用率,提供了更多的活性光催化活性位点,导致吸收带边发生了红移,并形成异质结构,进一步降低了光生电子‑空穴复合率,从而提高了复合材料的光催化产氢性能。
  • 一种用于光催化降解四环素的In2-202310367797.8
  • 胡明振;周德炎;农永萍;谭宗勇 - 广西华锡集团股份有限公司
  • 2023-04-07 - 2023-06-23 - B01J27/057
  • 一种用于光催化降解四环素的In2Se3纳米材料的制备方法,包括如下步骤:(1)将可溶性铟源,定量的硒粉溶解在烷基胺中,在充满惰性气体的三口烧瓶中在50~80℃下保温5~30min,使其混合均匀;(2)随后升温至260~300℃,在此温度下保温30~120min,使样品充分反应,冷却至室温;(3)将所得反应物用有机溶剂清洗多次,离心分离,真空干燥,得到粉体产物;(4)最后将干燥后得到的粉末和甲苯+巯基丙酸的混合溶液一起搅拌5~10h,去除样品表面的烷基胺配体,再通过离心清洗、干燥研磨,制备得到In2Se3纳米材料。该方法具有合成工艺简单、制备周期短,所制备的In2Se3在光催化降解四环素的实验中,20min的降解率达到53%,有较好的应用前景。
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