[发明专利]一种侧壁电极阻变存储结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910882812.6 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN110752291B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 肖韩;王宗巍;蔡一茂;黄如 | 申请（专利权）人： | 杭州未名信科科技有限公司;浙江省北大信息技术高等研究院 |
| 主分类号： | H10N70/00 | 分类号： | H10N70/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市萧*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种侧壁电极阻变存储结构及其制备方法，该结构包括：第一介电质层、低迁移率材料层、第一金属栓塞、第一电极、阻变层和第二电极；所述低迁移率材料层设置在所述第一介电质层上；所述第一电极和所述阻变层均设置于所述低迁移率材料层上；所述第一电极、所述阻变层和所述第二电极依次相接；所述第一金属栓塞贯穿所述第一介电质层和所述低迁移率材料层，且其上端与所述第一电极相接。本发明实施例提供的侧壁电极阻变存储结构，至少有一电极设置在阻变层水平方向一侧，与现有技术相比降低了阻变存储结构的高度,缩小了RRAM的尺寸，有利于RRAM的嵌入式集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 侧壁 电极 存储 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种侧壁电极阻变存储结构，其特征在于，包括：第一介电质层、低迁移率材料层、第一金属栓塞、第一电极、阻变层和第二电极；所述低迁移率材料层设置在所述第一介电质层上；所述第一电极和所述阻变层均设置于所述低迁移率材料层上；所述第一电极、所述阻变层和所述第二电极依次相接；所述第一金属栓塞贯穿所述第一介电质层和所述低迁移率材料层，且其上端与所述第一电极相接。/n
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