[发明专利]基于磁电子学阵列式可调谐太赫兹波发射器及其制作方法在审
| 申请号： | 201910750647.9 | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN110441929A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 林贤;金钻明;马国宏 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | G02F1/09 | 分类号： | G02F1/09;G02F1/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 200444 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于光电功能器件技术领域，公开了一种基于磁电子学阵列式可调谐太赫兹发射器及其制作方法，基于磁电子学阵列式可调谐太赫兹波发射器从下往上依次为：基片衬底、金属层I、铁磁层、金属层II、覆盖层；所述基片衬底、金属层I、铁磁层、金属层II、覆盖层均通过原子级别的生长方式结合在一起。本发明利用物理或化学的方法在基片衬底上蒸镀多层复合膜，利用微纳加工技术制备阵列结构；本发明发射器所发射的电磁波频率在0.1THz～10THz范围，发射太赫兹波振幅、频宽、中心频率、波形可调谐；本发明的阵列式太赫兹波发射器具有体积小、转换效率高、频谱宽和可调谐等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 可调谐 发射器 太赫兹波 金属层 阵列式 电子学 衬底 覆盖层 铁磁层 光电功能器件 太赫兹发射器 微纳加工技术 电磁波频率 多层复合膜 原子级别 阵列结构 中心频率 转换效率 发射 体积小 频谱 频宽 蒸镀 制备 制作 生长 | ||
【主权项】：
1.一种基于磁电子学阵列式可调谐太赫兹波发射器，其特征在于，所述基于磁电子学阵列式可调谐太赫兹波发射器从下往上依次为：基片衬底、金属层I、铁磁层、金属层II、覆盖层；所述基片衬底、金属层I、铁磁层、金属层II、覆盖层均通过原子级别的生长方式结合在一起。
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