[发明专利]基于闪存技术的非易失性光波导干涉单元有效

专利信息
申请号: 201910712089.7 申请日: 2019-08-02
公开(公告)号: CN110534521B 公开(公告)日: 2022-06-28
发明(设计)人: 李燕;陈伟伟;汪鹏君 申请(专利权)人: 宁波大学
主分类号: H01L27/11521 分类号: H01L27/11521;H01L27/11526
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 林超
地址: 315211 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种基于闪存结构的非易失性光波导干涉单元。光波导置于缓冲层中间,且位于衬底和背栅阻挡层之间;在缓冲层和背栅阻挡层之间设置有浮栅层,浮栅层一侧向源极延伸且延伸到源极下方但不延伸到缓冲层和背栅阻挡层的外边沿,浮栅层另一侧向漏极延伸但延伸到漏极下方,在遂穿层和漏极之间设置有电荷控制层,电荷控制层一侧延伸到漏极外边沿,电荷控制层另一侧向源极延伸但不接触源极。本发明可对光波导内传输的光信号进行非易失性调控,可消除维持传输状态过程中所产生的功耗,从而有助于降低光通信网络的能耗;具有良好的CMOS工艺兼容性,易于实现大规模集成。
搜索关键词: 基于 闪存 技术 非易失性光 波导 干涉 单元
【主权项】:
1.一种基于闪存技术的非易失性光波导干涉单元,其特征在于:包括从下到上依次布置的衬底(8)、缓冲层(7)、背栅阻挡层(6)和遂穿层(5),源极(1)和漏极(2)分别布置在遂穿层(5)上表面的两侧,源极(1)和漏极(2)连接到外部电源;光波导(9)置于缓冲层(7)中间,且位于衬底(8)和背栅阻挡层(6)之间;在缓冲层(7)和背栅阻挡层(6)之间设置有浮栅层(3),浮栅层(3)一侧向源极(1)延伸且延伸到源极(1)下方但不延伸到缓冲层(7)和背栅阻挡层(6)的外边沿,浮栅层(3)另一侧向漏极(2)延伸但延伸到漏极(2)下方;在遂穿层(5)和漏极(2)之间设置有电荷控制层(4),电荷控制层(4)一侧延伸到漏极(2)外边沿,电荷控制层(4)另一侧向源极(1)延伸但不接触源极(1)。/n
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