[发明专利]化学气相均匀沉积炉在审

申请号：	201910620583.0	申请日：	2019-07-10
公开（公告）号：	CN110241402A	公开（公告）日：	2019-09-17
发明（设计）人：	岳振明;王一喆;李玉森;高建东;高军;宫建红	申请（专利权）人：	山东大学
主分类号：	C23C16/458	分类号：	C23C16/458;C23C16/46;C23C16/52;C23C16/32
代理公司：	青岛清泰联信知识产权代理有限公司 37256	代理人：	陈宇瑄
地址：	264209 ***	国省代码：	山东;37
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摘要：	本发明是一种化学气相均匀沉积炉，包括炉体、加热装置、进气装置。炉体内安装有专用的内筒腔体连接着进气系统。本发明通过改进沉积腔室，增加气体喷淋装置、底部加热装置以及衬底的旋转系统提升了薄膜沉积的均匀性节省了材料；所述炉体底部有废气出口，用于后续的废气处理。
搜索关键词：	均匀沉积炉体底部加热装置气体喷淋装置薄膜沉积沉积腔室废气出口废气处理加热装置进气系统进气装置内筒腔体旋转系统均匀性专用的衬底体内改进
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【主权项】：

1.一种化学气相均匀沉积炉，包括带有炉底的炉体，炉体内安装有专用的沉积腔室，沉积腔室连接有进气装置，其特征在于：所述的沉积腔室包括上端部的腔室上圈与腔室下圈，腔室上圈与腔室下圈是内侧面为光滑面的筒壁；所述化学气相均匀沉积炉还包括底部加热装置，底部加热装置包括石墨加热器，以及开口向上的凹槽用于沉积薄膜；所述进气系统都是不锈钢管道，管内进行电抛光，管道的接头用氩弧焊或VCR及Swagelok方式连接并进行正压检漏。

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摘要：本发明提供一种衬底支撑板和包含其的薄膜沉积设备。所述衬底支撑板可防止衬底的后表面上的沉积且可易于卸载所述衬底。所述衬底支撑板可包含：衬底安装部分；以及外围部分，其围绕所述衬底安装部分，且所述衬底安装部分的顶部表面的边缘部分可经阳极氧化，且所述衬底安装部分的所述顶部表面的中心部分可不经阳极氧化。

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摘要：本实用新型涉及一种搁架、承载盘、托盘、缓冲腔、装载腔及基片传输系统，其中，基片传输系统包括缓冲腔、装载腔、第一机械手和第二机械手，缓冲腔中包括的每个第一搁架还用于承放多个承载盘。第一机械手用于将多个基片装载在第一搁架的每个承载盘上，第二机械手用于将多个承载盘从第一搁架上取出并装载在第二搁架的托盘上，装载腔中包括的多个第二搁架用于承放多个上述的托盘。本实用新型的基片传输系统成本低，能够缩短整个工艺时间，加快生产节拍，满足大尺寸、快节拍生产的MOCVD系统的大产能和高效率的需求。

一种应用于半导体材料外延生长的石墨盘-201821961270.9
发明人：刘建庆;文宏;刘雪珍;高熙隆;肖林林;丁杰;杨溢 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： C23C16/458
摘要：本实用新型公开了一种应用于半导体材料外延生长的石墨盘，所述石墨盘上形成有若干个带有一平边的衬底凹槽，用于放置衬底，其中，所述衬底凹槽的槽底上设置有一个平行靠近于平边的长条形凸条，所述长条形凸条的高度低于衬底凹槽深度，长度要求不大于衬底凹槽的平边长度，与衬底的平边长度相匹配，放置在衬底凹槽中的衬底的平边与长条形凸条对齐，通过长条形凸条对衬底起到限位固定的作用。本实用新型可极大提高半导体外延制造过程的可控性，提高外延生长过程中的产品良率。

一种应用于晶格失配结构外延生长的石墨盘-201821971864.8
发明人：刘建庆;高熙隆;刘雪珍;丁杰;刘恒昌;宋欣慰 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： C23C16/458
摘要：本实用新型公开了一种应用于晶格失配结构外延生长的石墨盘，所述石墨盘上形成有若干个用于放置衬底的衬底凹槽，其中，所述衬底凹槽的槽底形成有按1～20个/cm²密度均匀分布的细孔，且所述细孔竖直贯穿石墨盘底部，利用反应室自上而下的压力差，使衬底两面在外延生长过程中始终保持有压力差，即使衬底发生翘曲，亦能被此压力差下压吸附在石墨盘表面。本实用新型可极大提高半导体外延片均匀性，同时，提高外延生长过程中的温度控制可靠性。

一种改良结构的石墨舟-201821829983.X
发明人：叶石标 -专利权人：浙江艾能聚光伏科技股份有限公司
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： C23C16/458
摘要：本实用新型提供了一种改良结构的石墨舟。它解决了现有石墨舟中舟片凸耳会出现断裂，导致石墨舟损坏非常频繁，使用寿命短等技术问题。本改良结构的石墨舟，包括若干石墨舟片一和若干石墨舟片二，石墨舟片一的两端均具有上凸耳，上凸耳和上导电块相连，石墨舟片二的两端均具有下凸耳，下凸耳和下导电块相连，上导电块包括两个上斜角块、两个上隔块、两个上缓冲块和一个上电极块，上隔块下部的外侧具有凸出的上支撑台阶一，上缓冲块下部的两侧具有凸出的上支撑台阶二，下导电块包括四个下隔块、两个舟脚、两个下缓冲块和一个下电极块，舟脚中部的外侧具有下支撑台阶一，下缓冲块下部的两侧具有凸出的下支撑台阶二。本实用新型具有使用寿命短的优点。

一种用于PECVD反应区的伸缩式滚轮传输结构-201910336683.0
发明人：张迎春;张源 -专利权人：北京捷造光电技术有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： C23C16/458
摘要：PECVD设备反应区采用上述伸缩式滚轮结构用于工件载板的传输，所述滚轮转动传入工件；所述托针装置上升，顶起工件脱离滚轮；所述滚轮缩出反应区；所述托针装置下降，将工件下落至下电极上；工件在反应区完成镀膜工艺；所述托针装置上升顶起工件；所述滚轮伸入反应区；所述托针装置下降，将工件下落至所述滚轮上；所述滚轮转动传出已完成镀膜工件；工件传入下一个PECVD腔室重复上述过程进行下一道镀膜工序，工件可以高效率的直线进给。因此，采用上述伸缩式滚轮结构既可以保证工件的可靠传输、加快节拍、提高设备的生产效率并且可以有效的满足PECVD提高效率、增大产能的迫切需求。

片材夹具及沉积设备-201821704778.0
发明人：唐永炳;孟醒;陈波;王陶 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： C23C16/458
摘要：本实用新型提供了一种片材夹具及沉积设备，涉及涂层沉积辅助设备技术领域。该片材夹具包括传动单元、送料件和沉积板，送料件位于沉积板的上方，片材装载在沉积板上，传动单元通过带动送料件运动从而带动片材移动；该片材夹具通过带动片材沿沉积板连续移动，使得片材的待沉积部分连续通过热丝对应的有效沉积区域，进而实现片材由待沉积状态向已沉积状态转变，故采用该夹具能够连续沉积片材面积大于沉积设备有效沉积范围的片材，可大大提高沉积效率，缩短生产周期，降低生产成本；该夹具结构简单，操作方便，且不会改变沉积设备原有的结构和部件。本实用新型还提供一种沉积设备，包括炉体，上述片材夹具位于炉体内，片材夹具与炉体可拆卸固定连接。

专利分类

C 化学；冶金

C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的

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[发明专利]化学气相均匀沉积炉在审

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