[发明专利]一种高效长寿命的三维结构锑掺杂氧化锡电极有效

专利信息
申请号: 201910579365.7 申请日: 2019-06-28
公开(公告)号: CN110330078B 公开(公告)日: 2020-09-15
发明(设计)人: 成少安;孙怡 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C25B11/06 分类号: C25B11/06;C02F101/30
代理公司: 杭州中成专利事务所有限公司 33212 代理人: 周世骏
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及建材技术领域,旨在提供一种高效长寿命的三维结构锑掺杂氧化锡电极。该电极该电极是以内部富含微米孔的泡沫钛作为基底材料,在基底材料的表面和内部均匀密集负载纳米尺寸锑掺杂氧化锡催化剂颗粒而具有三维结构;该电极中,锑掺杂氧化锡催化剂的修饰量为15~250mg/cm2;Sb在锑掺杂氧化锡催化剂中的掺杂比例为Sb/Sn=5~20%。本发明最终催化剂修饰量可达到15~250mg/cm2,克服了传统电极ATO催化剂修饰量低问题。电极具有高析氧电位,有利于抑制降解过程的析氧副反应,提高能量利用效率。与市售电催化电极相比,本发明表现出优异电催化氧化性能。电极加速测试寿命是传统ATO电极的26倍以上。
搜索关键词: 一种 高效 寿命 三维 结构 掺杂 氧化 电极
【主权项】:
1.一种高效长寿命的三维结构锑掺杂氧化锡电极,其特征在于,该电极是以内部富含微米孔的泡沫钛作为基底材料,在基底材料的表面和内部均匀密集负载纳米尺寸锑掺杂氧化锡催化剂颗粒而具有三维结构;该电极中,锑掺杂氧化锡催化剂的修饰量为15~250mg/cm2;Sb在锑掺杂氧化锡催化剂中的掺杂比例为Sb/Sn=5~20%。
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  • 一种低温等离子体技术制备氧缺陷型钨酸铋光电极的方法-201910672865.5
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  • 2019-07-24 - 2020-09-29 - C25B11/06
  • 本发明涉及一种低温等离子体技术制备氧缺陷型钨酸铋光电极的方法,具体步骤为:通过水热法在FTO导电玻璃表面生长WO3纳米板,以WO3薄膜为牺牲模板,滴加硝酸铋的水溶液,干燥,高温煅烧,WO3和硝酸铋发生固相反应,制备出高结晶性的钨酸铋纳米片;后以空气、氧气、氮气或者氢气为反应性气体,采用低温等离子体技术对钨酸铋薄膜表面进行处理,通过等离子体的自由基引发钨酸铋薄膜表面的化学反应,在钨酸铋薄膜表面引入氧空位。本发明制备的氧缺陷型钨酸铋薄膜亲水性好,电导率高,界面电荷转移快,有效提升了水分解的氧化电流。低温等离子体技术处理钨酸铋薄膜工艺简单,时间短,能耗低,环境友好,适于大规模处理半导体光电极。
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