[发明专利]一种阵列基板的制备方法及阵列基板、显示面板有效
申请号: | 201910555671.7 | 申请日: | 2019-06-25 |
公开(公告)号: | CN110246884B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 李鑫;樊星;温向敏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 李欣 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及显示设备技术领域,公开了一种阵列基板的制备方法及阵列基板、显示面板,该阵列基板的制备方法,包括:在衬底上依次制备薄膜晶体管器件层、像素平坦层、具有起伏结构的胶体层和与胶体层具有相同起伏结构的有机电致发光器件层,其中,有机电致发光器件层包括依次形成于胶体层背离衬底一侧的阳极、有机发光层和阴极。该阵列基板的制备方法中制备了具有起伏结构的胶体层和与胶体层具有同样起伏结构的有机电致发光器件层,制备方法简便且能够更好的提高出光效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 制备 方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:在衬底上制备薄膜晶体管器件层;在所述薄膜晶体管器件层背离所述衬底的一侧制备像素平坦层;在所述像素平坦层背离所述衬底的一侧涂覆一层混合有纳米小球的胶体层,将所述混合有纳米小球的胶体层加热固化,除去所述混合有纳米小球的胶体层中的纳米小球以形成背离所述衬底的一侧表面具有起伏结构的胶体层;在所述胶体层背离所述衬底的一侧制备与所述胶体层具有相同起伏结构的有机电致发光器件层,其中,所述有机电致发光器件层包括依次形成于所述胶体层背离所述衬底一侧的阳极、有机发光层和阴极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的